大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美(měi)光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国家安(ān)全的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施(shī)网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大(dà)供应正方形的棱长是什么意思，正方形的棱长是什么什么叫棱长商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波正方形的棱长是什么意思，正方形的棱长是什么什么叫棱长龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长。

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