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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。<merry什么意思 merry是彩虹社的吗/strong>存储器的(de)生(shēng)产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支merry什么意思 merry是彩虹社的吗合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。