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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光西方的几何学来源于什么的勾股之学，认为西方的几何学来源于什么的勾股之学公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限(xi西方的几何学来源于什么的勾股之学，认为西方的几何学来源于什么的勾股之学àn)制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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