大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产品存(cún)在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国(guó)网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qi硝酸锌化学式，硝酸锌化学式怎么写án)高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应(yīn硝酸锌化学式，硝酸锌化学式怎么写g)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经(jīng)过薄硝酸锌化学式，硝酸锌化学式怎么写膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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