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　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对(duì)美(měi)光公司(sī)在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安日本还有能力侵华吗，日本敢不敢侵略中国全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全(quán)审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售(sh日本还有能力侵华吗，日本敢不敢侵略中国òu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市场的(de)供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要(yào)经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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