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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品(pǐn)未1mol等于多少克怎么算，0.1mol等于多少克(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(ji1mol等于多少克怎么算，0.11mol等于多少克怎么算，0.1mol等于多少克mol等于多少克āng)波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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