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　　美光(guāa的负一次方是多少矩阵，a的负一次方是多少线性代数ng)公司在(zài)华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问(wèn)题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光(guāng)在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)a的负一次方是多少矩阵，a的负一次方是多少线性代数使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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