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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó科兴是美国的还是中国的)家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实科兴是美国的还是中国的(shí)施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo科兴是美国的还是中国的)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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