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　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民学生党如何自W，14没有工具怎么自w到高c共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85学生党如何自W，14没有工具怎么自w到高c％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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