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馈赠的意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发消息。

  美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安全审查(chá)

  据网信办消息,日(rì)前,网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

  审查(chá)发(fā)现,美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn),对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào馈赠的意思)成重(zhòng)大安全风险,影(yǐng)响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ),网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规,我国内(nèi)关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品。

  此次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查(chá),目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施安全,是维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开(kāi)放,只要遵守中国(guó)法律法规要求,欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

  半导体(tǐ)突(tū)发!中(zhōng)国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国网信网发文称,为保障关键信息基础设施供应链安全,防范产(chǎn)品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安(ān)全风险,维护国家安全(quán),依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络(luò)安全法》,网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头,也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一,2022年收入(rù)来自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司(sī)中,江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际馈赠的意思存储厂商为公司供应商。

  美(měi)光在(zài)江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降,至少已经不是主要大供应(yīng)商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng),采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期合约,确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng),巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优势,公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

  有券商(shāng)此前就分析,如(rú)果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì),或将导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

  分析(xī)称(chēng),长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的(de)结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤,同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo),催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露,薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计为75%。自长江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入美国限制名单,设备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速,看好拓荆科技(薄膜(mó)沉积)等(děng)相关公司份额提升,以及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入增长。

 

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