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中考体育多少分满分2023,中考体育多少分及格 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好(hǎo),来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对(duì)我(wǒ)国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大安全风险,影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此,网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出(chū)中考体育多少分满分2023,中考体育多少分及格不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规,我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品。

  此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查,目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全,是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开(kāi)放,只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú),欢迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链安全(quán),防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险,维护国家安全,依据(jù)《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》,网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审(shěn)查。

  半导体突发(fā)!中国(guó)出手:停止采购(gòu)!

  美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头,也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一,2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰(fēng)57%降至2022年(nián)约11%。根据市场中考体育多少分满分2023,中考体育多少分及格咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内(nèi)存)市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司(sī)中,江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商(shāng)。

  美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下降,至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

  公告(gào)显示, 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商,采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán),占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约,确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng),巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势,公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

  有券(quàn)商此(cǐ)前就分析,如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制,或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì),国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分析(xī)称,长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo),催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露,薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75%。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单,设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加速,看好拓荆科技(薄(báo)膜沉积)等相关公司份(fèn)额提升(shēng),以及存储业务占比较高的华海清科(kē)(CMP)、盛美(měi)上海(清(qīng)洗(xǐ))等收入增长(zhǎng)。

 

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