大家好，来看一(yī)则突(tū)发(fā)消息。

　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi天肖有几个生肖 天肖是哪六个肖)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长(zhǎ天肖有几个生肖 天肖是哪六个肖ng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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