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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。几率和机率哪个正确一点，几率和机率有何不同strong>

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势，公司(sī)也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)几率和机率哪个正确一点，几率和机率有何不同储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。