大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。75寸电视长宽是多少>为(wèi)此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，75寸电视长宽是多少g>我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等国(guó)际存75寸电视长宽是多少储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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