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　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安两斤大概有多重参照物，2斤有多重？全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台(tái)产(chǎn)品(pǐn两斤大概有多重参照物，2斤有多重？)服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等(děng)国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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