大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也没有罩子的瑜伽老师，瑜伽老师没带胸罩00; line-height: 24px;'>没有罩子的瑜伽老师，瑜伽老师没带胸罩与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前(qián)就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更深的孔(kǒng没有罩子的瑜伽老师，瑜伽老师没带胸罩)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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