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　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对(duì法西斯国家有哪几个)我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(y法西斯国家有哪几个īng)链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护(hù)国(guó)家安(ān)全的(de)必要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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