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毁掉一个女人最好的办法名声,毁掉一个渣女最好的方法

毁掉一个女人最好的办法名声,毁掉一个渣女最好的方法 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突(tū)发消息。

  美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患,对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险,影响我国国(guó)家安(ān)全。为此,网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī),我国内关键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

  此次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查,目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全,是维护国家(毁掉一个女人最好的办法名声,毁掉一个渣女最好的方法jiā)安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外开放,只要遵守中国法律法规要(yào)求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

  半(bàn)导体突发!中国出(chū)手:停(tíng)止采购(gòu)!

  3月31日,中(zhōng)国网信网发文称,为保障(zhàng)关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安(ān)全,防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险,维护(hù)国家安全,依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》,网络安(ā毁掉一个女人最好的办法名声,毁掉一个渣女最好的方法n)全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查(chá)。

  半(bàn)导体突(tū)发!中国出(chū)手(shǒu):停止(zhǐ)采购!

  美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头,也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一,2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中(zhōng),江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商。

  美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降,至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商,采(cǎi)购约(yuē)31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约,确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性,巩固公司在下游市场的供应优势,公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此前就(jiù)分析,如果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì),或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu),同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽,催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露(lù),薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75%。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名(míng)单,设备国产化进(jìn)程加速,看好拓荆(jīng)科技(jì)(薄(báo)膜沉积)等相关公司(sī)份额(é)提升,以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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