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　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全(quán)。为此说明方法有哪些及作用答题格式，三年级说明方法有哪些及作用，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì说明方法有哪些及作用答题格式，三年级说明方法有哪些及作用)对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng说明方法有哪些及作用答题格式，三年级说明方法有哪些及作用)主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游(yóu)市(shì)场的(de)供应优势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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