大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行了(le)网络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。<162邮箱怎么登陆，162邮箱登录登录入口/p>

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国(guó)家162邮箱怎么登陆，162邮箱登录登录入口(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的(de)存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额(é)提(tí)升，以及存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：中国书画艺术 162邮箱怎么登陆，162邮箱登录登录入口