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　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的(de)运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国彩礼可以转账吗，彩礼一般用什么方式给女方产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3彩礼可以转账吗，彩礼一般用什么方式给女方维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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