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东周和西周的区别是什么意思,东周和西周的区别在哪儿 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则(zé)突发消息。

  美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

  据网(wǎng)信办消息,日前(qián),网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

  审(shěn)查发现,美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患,对我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险,影(yǐng)响我国国(guó)家安全(quán)。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规,我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

  此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查,目的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设施安全,是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放,只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求(qiú),欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市场。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  3月31日(rì),中国网信网发(fā)文称,为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全,防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全(quán)风险(xiǎn东周和西周的区别是什么意思,东周和西周的区别在哪儿),维护国家安(ān)全,依(yī)据《中华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》,网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止(zhǐ)采购!

  美(měi)光是美国的存储芯片行业(yè)龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供应商,采(cǎi)购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示,江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约,确保存储晶圆供应的(de)稳定性,巩固公(gōng)司在下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优势,公司(sī)也与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

  有券商此前就分析,如果美(měi)光在中国区(qū)销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制,或将导致下东周和西周的区别是什么意思,东周和西周的区别在哪儿游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

  分析称(chēng),长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到(dào) 60:1的(de)深孔,未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽,催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披露,薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75%。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单,设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公(gōng)司份额(é)提升,以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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