大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络(lu几天不见怎么这么湿，没过几天就湿成那样了ò)安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产几天不见怎么这么湿，没过几天就湿成那样了品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂或从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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