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　　美光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的(de)运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2边际贡献的计算公式是什么呀022年收(shōu)入来(lái)自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公司也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　边际贡献的计算公式是什么呀　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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