大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平台(tái)产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国(guó)网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂(冲冠一怒为红颜指的是什么意思，红颜指的是什么意思解释chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需求。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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