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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，张大大到底是什么来头网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依(yī)法作出不(bù)予通过(guò)网络安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络(luò)安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合张大大到底是什么来头约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng张大大到底是什么来头)收入增(zēng)长。

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