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　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的(乌克兰有中国人吗，在乌克兰的中国人安全吗de)运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhō乌克兰有中国人吗，在乌克兰的中国人安全吗ng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施(shī)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内乌克兰有中国人吗，在乌克兰的中国人安全吗外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关(guān)公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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