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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安(ān)全(quán)审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全(quán)的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等(děng)公(gōng)司(sī)披露过美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三三公里是多少米，三公里是多少米大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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