大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护国家(ji77年属什么今年多大，77年属什么今年多大2023ā)安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND77年属什么今年多大，77年属什么今年多大2023每层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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