大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐ危楼高百尺的危是什么意思，危楼高百尺的危是什么意思是危险还是高n)患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品(p危楼高百尺的危是什么意思，危楼高百尺的危是什么意思是危险还是高ǐn)服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司(sī)披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔(kǒng危楼高百尺的危是什么意思，危楼高百尺的危是什么意思是危险还是高)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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