大湖南电大几本，湖南长沙电大是几本家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。湖南电大几本，湖南长沙电大是几本>

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的(de)供(gōng)应优势，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。湖南电大几本，湖南长沙电大是几本据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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