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iphone12换电池多少钱 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好(hǎo),来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

  审查(chá)发现,美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险,影响我国国(guó)家安全(quán)。为此,网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规,我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

  此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查,目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施安全,是(shì)维护国(guó)家(jiphone12换电池多少钱iā)安(ān)全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放,只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求(qiú),欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

  半导体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链安全,防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险,维护国家安全,依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》,网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》,对美光公(gōng)司(Micron)在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头,也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一,2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flashiphone12换电池多少钱 (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

  美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降,至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

  公(gōng)告(gào)显示, 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商,采(cǎi)购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约,确保存储晶圆供应的(de)稳定性,巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势,公(gōng)司也与国内(nèiiphone12换电池多少钱)国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

  有券商此前就分析,如(rú)果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制,或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分析(xī)称,长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤,同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未(wèi)来可能会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露(lù),薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合(hé)计为75%。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单,设备国(guó)产化进程(chéng)加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份(fèn)额提升,以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的(de)华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入增长。

 

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