大家好，来看(kàn)一则(zé)突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lón甲醚的结构式是什么什么形状，甲醚的结构简式怎么写g)头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、甲醚的结构式是什么什么形状，甲醚的结构简式怎么写第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原甲醚的结构式是什么什么形状，甲醚的结构简式怎么写厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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