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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司(独立事件与互斥事件的区别与联系公式，独立事件与互斥事件的区别与联系视频sī)（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下(xià)游(y独立事件与互斥事件的区别与联系公式，独立事件与互斥事件的区别与联系视频óu)市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国独立事件与互斥事件的区别与联系公式，独立事件与互斥事件的区别与联系视频(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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