大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　咋能把自己弄成小喷泉呢，如何把女朋友弄成小喷泉src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212521.png">

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、咋能把自己弄成小喷泉呢，如何把女朋友弄成小喷泉 #ff0000; line-height: 24px;'>咋能把自己弄成小喷泉呢，如何把女朋友弄成小喷泉 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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