大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。山衔落日浸寒漪中的衔字是什么意思，衔的意思

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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