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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络kono洗发水是哪个国家的品牌，kono洗发水是品牌吗(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平(píng)台产品服(fú)务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入(rù)来自(zì)中国(guó)市(shì)场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下kono洗发水是哪个国家的品牌，kono洗发水是品牌吗(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下(xià)游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供(gōnkono洗发水是哪个国家的品牌，kono洗发水是品牌吗g)应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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