大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出不予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部生日快乐缩写HBD，hb生日快乐缩写数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guān生日快乐缩写HBD，hb生日快乐缩写g)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

未经允许不得转载：中国书画艺术 生日快乐缩写HBD，hb生日快乐缩写