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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络安全(quán)好来与黑人是一个牌子吗，黑人包装为什么是好来问题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(y好来与黑人是一个牌子吗，黑人包装为什么是好来uē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(好来与黑人是一个牌子吗，黑人包装为什么是好来chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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