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　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开(kāi)放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光虎门销烟发生在哪里、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链(liàn)上下游建立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bè虎门销烟发生在哪里i)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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