大家好，来看(kàn)一(yī)则(zé)突(tū)发消息。

　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安全(qu35c到底有多大，35c是多少án)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供35c到底有多大，35c是多少应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额(é)占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　<35c到底有多大，35c是多少strong>分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业(yè)务(wù)占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

未经允许不得转载：中国书画艺术 35c到底有多大，35c是多少