大家好，来看一(yī)则突发(fā)消息(xī)。

　　低头看我是怎么玩你的，低头看我是怎么弄你的ng>美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)低头看我是怎么玩你的，低头看我是怎么弄你的办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全(qu低头看我是怎么玩你的，低头看我是怎么弄你的án)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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