大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予通过网络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构(正方体体对角线的公式是什么，正方体体对角线公式计算gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工正方体体对角线的公式是什么，正方体体对角线公式计算艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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