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　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安(ān)全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存值此之际是什么意思春节，值此 之际储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdi值此之际是什么意思春节，值此 之际a（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，值此之际是什么意思春节，值此 之际ng>国内长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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