大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络(正实数包括0吗包括负数吗，正实数包括零吗luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依(yī)据(jù)《中华人正实数包括0吗包括负数吗，正实数包括零吗民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海正实数包括0吗包括负数吗，正实数包括零吗力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较高的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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