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当兵的家暴几率大吗,当过兵的人会家暴吗

当兵的家暴几率大吗,当过兵的人会家暴吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查

  据网信办消息(xī),日前,网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络(luò)安全审(shěn)查。

  审(shěn)查发现,美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn),对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险,影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此,网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规,我国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

  此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查,目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)安全,是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng),只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场。

  半导体突发!中国(guó)出手(shǒu):停止采购(gòu)!

  3月31日,中国(guó)网信网发文(wén)称,为保(bǎo)障关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安(ān)全(quán),防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn),维护(hù)国(guó)家安全,依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法》,网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》,对美光公(gōng)司(sī)(Micron)在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全(quán)审(shěn)查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头,也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一,2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高峰(fēng)57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额(é)约为 96.76%,三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内(nèi)存(cún))市(shì)场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上(shàng)市公(gōng)司中,江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

  美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降,至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商,采购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约(yuē),确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng),巩固公司(sī)在下游市(shì)场的(de)供应优势(shì),公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

  有(yǒu)券商此前(qián)就分析,如果美光(guāng)在中国区销售受到限制,或将导致下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大当兵的家暴几率大吗,当过兵的人会家暴吗(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺(yì)步骤,同时刻(kè)蚀目当兵的家暴几率大吗,当过兵的人会家暴吗前前沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未(wèi)来(lái)可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽,催生(shē当兵的家暴几率大吗,当过兵的人会家暴吗ng)更多设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露,薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75%。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单,设备国(guó)产化进程(chéng)加速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关公司份额提(tí)升,以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

 

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