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　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大(dà)安全义无反顾是什么意思啊，义无反顾在感情上是什么意思风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施的运义无反顾是什么意思啊，义无反顾在感情上是什么意思营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分义无反顾是什么意思啊，义无反顾在感情上是什么意思别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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